DMNH10H028SPSQ-13 دیتاشیت

DMNH10H028SPSQ-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DMNH10H028SPSQ-13
حجم فایل 88.068 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت DMNH10H028SPSQ-13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DMNH10H028SPSQ-13
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 36nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2245pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@20A,10V
  • Package: PowerDI-5060-8
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه