2SB1386T100Q دیتاشیت

2SB1386T100R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2SB1386T100R
حجم فایل 41.689 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت 2SB1386T100R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: ROHM Semicon 2SB1386T100Q
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 5A
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Transition Frequency (fT): 120MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 20V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 350mV@4A,100mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه