2N7002K_R1_00001 دیتاشیت

2N7002K_R1_00001

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2N7002K_R1_00001
حجم فایل 67.263 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت 2N7002K_R1_00001

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: PANJIT International 2N7002K_R1_00001
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 0.8nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 35pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 300mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4Ω@4.5V,200mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: PANJIT International

محصولات مشابه