DMG6601LVT-7 دیتاشیت

DMG6601LVT-7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DMG6601LVT-7
حجم فایل 94.183 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت DMG6601LVT-7-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DMG6601LVT-7
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 850mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 422pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.8A;2.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@3.4A,10V
  • Package: SOT-26
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه