PBSS3515VS,115 دیتاشیت

PBSS3515VS,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS3515VS,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت PBSS3515VS,115-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS3515VS,115
  • Transistor Type: 2PCSPNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 280MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 90@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 15V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-666-6
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه