VBZE2N60 دیتاشیت

VBZE2N60

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBZE2N60
حجم فایل 80.457 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت VBZE2N60

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBZE2N60
  • Operating Temperature: -
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.5Ω@10V,2A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه