AP4008QD دیتاشیت

AP4008QD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP4008QD
حجم فایل 69.199 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت AP4008QD

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP4008QD
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 21W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.05nF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 72pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V,10A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه