NCE6009AS دیتاشیت

NCE6009AS

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE6009AS
حجم فایل 74.623 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE6009AS

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE6009AS
  • Power Dissipation (Pd): 2.6W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,9A
  • Package: SO-8
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه