دیتاشیت Si2323DDS-T1-GE3

Si2323DDS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Si2323DDS-T1-GE3
حجم فایل 83.248 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت Si2323DDS-T1-GE3

Si2323DDS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech Si2323DDS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 960mW;1.7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 36nC@8V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1160pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 39mΩ@4.5V,4.1A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه