GT095N10K دیتاشیت

GT095N10K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GT095N10K
حجم فایل 78.286 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت GT095N10K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD GT095N10K
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 74W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 54nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1667pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 55A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه