IPD60R1K0CE دیتاشیت

IPD60R1K0CE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD60R1K0CE
حجم فایل 71.57 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPD60R1K0CE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD60R1K0CE
  • Power Dissipation (Pd): 61W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@130uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1Ω@10V,1.5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه