دیتاشیت SI2337DS-T1-E3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SI2337DS-T1-E3
|
| حجم فایل |
85.485
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
10
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI2337DS-T1-E3
-
Operating Temperature:
-50°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
760mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
17nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
80V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
500pF@40V
-
Continuous Drain Current (Id):
2.2A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
270mΩ@10V,1.2A
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
