ME60N04 دیتاشیت

ME60N04

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ME60N04
حجم فایل 80.941 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت ME60N04

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: MATSUKI ME60N04
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 31nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.24nF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 39A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 60pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,15A
  • Package: TO-252-3
  • Manufacturer: MATSUKI

محصولات مشابه