دیتاشیت BUK9Y12-100E,115
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BUK9Y12-100E,115 |
|---|---|
| حجم فایل | 64.932 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت BUK9Y12-100E,115 |
BUK9Y12-100E,115 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Nexperia BUK9Y12-100E,115
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 238W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 64nC@5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 7973pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 85A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@1mA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 214pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@5V,25A
- Package: SOT-669
- Manufacturer: Nexperia
