onsemi BC847BDW1T3G دیتاشیت

BC847BDW1T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC847BDW1T1G
حجم فایل 75.637 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت BC847BDW1T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi BC847BDW1T3G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 380mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 150@10uA,5.0V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 5uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 0.25V@10mA,0.5mA
  • Package: SOT-363

محصولات مشابه