onsemi BC847BDW1T3G دیتاشیت

BC847BDW1T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC847BDW1T1G
حجم فایل 75.637 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت BC847BDW1T1G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi BC847BDW1T3G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 380mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 150@10uA,5.0V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 5uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 0.25V@10mA,0.5mA
  • Package: SOT-363

محصولات مشابه