SI8808DB-T2-E1 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI8808DB-T2-E1
|
|
حجم فایل
|
95.334
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI8808DB-T2-E1
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
10nC@8V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
330pF@15V
-
Continuous Drain Current (Id):
1.8A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
900mV@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
95mΩ@4.5V,1A
-
Package:
BGA-4
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
