HXY MOSFET HXY4812S دیتاشیت

HXY4812S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY4812S
حجم فایل 67.64 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت HXY4812S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 2 N-Channel
  • RDS(on): 42mΩ
  • Gate Charge(Qg): 6.3nC
  • Ciss-Input Capacitance: 310pF
  • Pd - Power Dissipation: 2W
  • Drain to Source Voltage: 30V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Output Capacitance(Coss): 45pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 2.4V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 50pF
  • Package: SOP-8

محصولات مشابه