دیتاشیت SI4465ADY-T1-E3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SI4465ADY-T1-E3 |
---|---|
حجم فایل | 71.853 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI4465ADY-T1-E3 |
SI4465ADY-T1-E3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI4465ADY-T1-E3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 3W;6.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 85nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 8V
- Continuous Drain Current (Id): 13.7A;20A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@14A,4.5V
- Package: SOP-8
- Manufacturer: Vishay Intertech