دیتاشیت SUM110P06-08L-E3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SUM110P06-08L-E3 |
|---|---|
| حجم فایل | 69.699 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت SUM110P06-08L-E3 |
SUM110P06-08L-E3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SUM110P06-08L-E3
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 3.75W;272W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 240nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 9200pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 110A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@4.5V,20A
- Package: TO-263
- Manufacturer: Vishay Intertech
