IRF640NSTRLPBF دیتاشیت

IRF640NPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF640NPBF
حجم فایل 76.727 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IRF640NPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 150W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 67nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1160pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 150mΩ@10V,11A
  • Package: D2PAK
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه