SQS850EN-T1_GE3 دیتاشیت

SQS850EN-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQS850EN-T1_GE3
حجم فایل 99.563 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SQS850EN-T1_GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQS850EN-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 33W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 41nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2021pF@30V
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 21.5mΩ@6.1A,10V
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه