دیتاشیت BSF134N10NJ3 G

BSF134N10NJ3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSF134N10NJ3 G
حجم فایل 31.205 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت BSF134N10NJ3 G

BSF134N10NJ3 G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSF134N10NJ3 G
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.2W;43W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 30nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2300pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A;40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@40uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 13.4mΩ@30A,10V
  • Package: MG-DSON-2(3.8x4.8)mm
  • Manufacturer: Infineon Technologies