L2SA812RLT1G دیتاشیت

L2SA812RLT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت L2SA812RLT1G
حجم فایل 70.271 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت L2SA812RLT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: LRC L2SA812RLT1G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 150mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 180MHz
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 180mV@100mA,10mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: LRC

محصولات مشابه