HXY5N10AI دیتاشیت

HXY5N10AI

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY5N10AI
حجم فایل 65.044 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY5N10AI

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY5N10AI
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 182pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@10V,4A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه