RQ3E120ATTB دیتاشیت

RQ3E120ATTB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ3E120ATTB
حجم فایل 75.659 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت RQ3E120ATTB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ3E120ATTB
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 62nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3200pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 39A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@12A,10V
  • Package: HSMT8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه