HYG090N06LS1P دیتاشیت

HYG090N06LS1P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG090N06LS1P
حجم فایل 68.095 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG090N06LS1P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG090N06LS1P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 20.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1002pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 32pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.1mΩ@10V,20A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه