SI1035X-T1-GE3 دیتاشیت

SI1035X-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1035X-T1-GE3
حجم فایل 84.13 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SI1035X-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1035X-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 0.75nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 180mA;145mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 400mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@200mA,4.5V
  • Package: SC-89-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه