دیتاشیت 1N65G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
1N65G
|
| حجم فایل |
81.442
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 1N65G
-
Power Dissipation (Pd):
-
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Continuous Drain Current (Id):
1A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
11Ω@10V,500mA
-
Package:
SOT-223-4
-
Manufacturer:
UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.)