NCE30H12K دیتاشیت

NCE30H12K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE30H12K
حجم فایل 78.694 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE30H12K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30H12K
  • Power Dissipation (Pd): 120W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه