Infineon Technologies IPD060N03LG دیتاشیت

IPD060N03LG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD060N03LG
حجم فایل 74.806 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت IPD060N03LG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD060N03LG
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 56W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.4nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.3nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 52pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,50A
  • Package: TO-252-3

محصولات مشابه