HY1606B دیتاشیت

HY1606B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1606B
حجم فایل 51.417 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY1606B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1606B
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 88W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 51nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.068nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 66A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 376pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.4mΩ@10V,33A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه