HY029N10B دیتاشیت

HY029N10P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY029N10P
حجم فایل 65.029 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HY029N10P-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY029N10B
  • Power Dissipation (Pd): 394.7W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 270A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.3mΩ@10V,50A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه