NCEP072N10 دیتاشیت

NCEP072N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP072N10
حجم فایل 77.291 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت NCEP072N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP072N10
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.6nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 90A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 19.5pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,45A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه