KIA2806AP دیتاشیت

KIA2806AP

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت KIA2806AP
حجم فایل 42.476 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت KIA2806AP

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: KIA Semicon Tech KIA2806AP
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 230W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 130nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4376pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 150A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 334pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.5mΩ@10V,60A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: KIA Semicon Tech

محصولات مشابه