PMXB360ENEAZ دیتاشیت

PMXB360ENEAZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMXB360ENEAZ
حجم فایل 57.707 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت PMXB360ENEAZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMXB360ENEAZ
  • Power Dissipation (Pd): 400mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.7V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 450mΩ@10V,1.1A
  • Package: SOT1215
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه