HXY2333AI دیتاشیت

HXY2333AI

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY2333AI
حجم فایل 55.583 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY2333AI

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY2333AI
  • Operating Temperature: -
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 18V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 980pF@4V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@4.5V,4.1A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه