PDTA123JU,115 دیتاشیت

PDTA123JT,215

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PDTA123JT,215
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت PDTA123JT,215

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PDTA123JU,115
  • Transistor Type: One PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10uA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 100mV@5mA,250uA
  • Package: SOT-323(SC-70)
  • Manufacturer: Nexperia