دیتاشیت BUK965R8-100E,118
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BUK965R8-100E,118 |
|---|---|
| حجم فایل | 65.599 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت BUK965R8-100E,118 |
BUK965R8-100E,118 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Nexperia BUK965R8-100E,118
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 357W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 133nC@5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 17460pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 120A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@1mA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.8mΩ@25A,5V
- Package: TO-263
- Manufacturer: Nexperia
