دیتاشیت 2SB1386G-Q-AB3-R
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
2SB1386G-Q-AB3-R
|
| حجم فایل |
43.526
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
5
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
UTC(Unisonic Tech) 2SB1386G-Q-AB3-R
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
5A
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Transition Frequency (fT):
120MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
120@500mA,2V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
500nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
20V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
1V@4A,100mA
-
Package:
SOT-89-3
-
Manufacturer:
UTC(Unisonic Tech)
