PMDXB550UNEZ دیتاشیت

PMDXB550UNEZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMDXB550UNEZ
حجم فایل 61.249 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PMDXB550UNEZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMDXB550UNEZ
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 285mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.05nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 30.3pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 590mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 950mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 670mΩ@590mA,4.5V
  • Package: SOT-1216
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه