NCEP01T18T دیتاشیت

NCEP01T18T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP01T18T
حجم فایل 81.837 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCEP01T18T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP01T18T
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 158nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 11.5nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 180A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 75pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,100A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه