IPDD60R102G7 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPDD60R102G7
|
|
حجم فایل
|
92.869
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
14
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPDD60R102G7
-
Power Dissipation (Pd):
139W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
600V
-
Continuous Drain Current (Id):
23A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@390uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
102mΩ@10V,7.8A
-
Package:
HDSOP-10-6.6mm
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
