TSM60NB1R4CH C5G دیتاشیت

TSM60NB1R4CH C5G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TSM60NB1R4CH C5G
حجم فایل 83.536 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت TSM60NB1R4CH C5G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Taiwan Semiconductor TSM60NB1R4CH C5G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 28.4W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 7.12nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 257.3pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1Ω@10V,900mA
  • Package: TO-251(IPAK)
  • Manufacturer: Taiwan Semiconductor

محصولات مشابه