NTD25P03LG-VB دیتاشیت

NTD25P03LG-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTD25P03LG-VB
حجم فایل 72.389 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت NTD25P03LG-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec NTD25P03LG-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 19nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.35nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 26A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 190pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 33mΩ@10V,10A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه