HY1908B دیتاشیت

HY1908P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1908P
حجم فایل 68.726 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت HY1908P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1908B
  • Power Dissipation (Pd): 185W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Continuous Drain Current (Id): 90A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,45A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه