SIE818DF-T1-E3 دیتاشیت

SIE818DF-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIE818DF-T1-E3
حجم فایل 104.483 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SIE818DF-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIE818DF-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 5.2W;125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 95nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 75V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3200pF@38V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@16A,10V
  • Package: PolarPAK-10
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه