HY1001P دیتاشیت

HY1001P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1001P
حجم فایل 64.668 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HY1001P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1001P
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-220FB-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه