G01N20LE دیتاشیت

G01N20LE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G01N20LE
حجم فایل 79.711 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G01N20LE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G01N20LE
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 580pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.56Ω
  • Package: SOT-23-3L
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه