HY1607P دیتاشیت

HY1607B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1607B
حجم فایل 70.232 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت HY1607B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1607P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 115W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 84nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 68V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3203pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 277pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,40A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه