MTD6P10ET4-VB دیتاشیت

MTD6P10ET4-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MTD6P10ET4-VB
حجم فایل 69.007 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت MTD6P10ET4-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec MTD6P10ET4-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 32.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.7nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.055nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 8.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 41pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 250mΩ@10V,3.6A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه